Corso di
DISPOSITIVI ELETTRONICI E SENSORI
Scheda
Codice | 8037503 |
Denominazione inglese | ELECTRONIC DEVICES AND SENSORS |
Lingua | Italiano |
CFU | 9 |
SSD | ING-INF/01 |
Docente
Prof. Corrado Di NataleProgramma
Elettroni nei solidi. Semiconduttori. Modelli del trasporto di carica. Studio delle distribuzioni non uniformi di droganti. Contatto Metallo-Semiconduttore. Processi di ricombinazione e generazione. Giunzione PN. Dispositivi a resistenza differenziale negativa. Transistor a giunzione. Heterojunction bipolar transistor. Sistema Metallo-ossido-silicio. Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor. MESFET ed HEMT.
Introduzione ai sensori. Circuiti per sensori resistivi e capacitivi. Sensori di temperatura. Termistori. Circuiti PTAT. Effetti termoelettrici. Applicazioni e circuiti. Sensori di campo magnetico. Sonde Hall. Magnetoresistenze. AMR e GMR. Fluxgate. Sensori ottici. Interazioni radiazione materia. Radiazione di corpo nero. Fotoconduttori e fotodiodi. Fotomoltiplicatori. Rivelatori di immagini.Sensori IR. Bolometri, piroelettrici. Sensori meccanici. Sensori di posizione. Strain gauges. Accelerometro. Sensore micromeccanico. Cenni di micromeccanica del silicio. Giroscopio integrato. Sensori di pressione. Sensori di flusso.
Lezioni 2024-25
Il corso si tiene nel primo semestre.L'orario e le aule delle lezioni sono di seguito visualizzati. Sono tuttavia da considerarsi provvisori fino all'inizio delle lezioni.
Con T (Telematica) è indicata un'aula virtuale.
Lun | Mar | Mer | Gio | Ven | |
---|---|---|---|---|---|
8.30 - 9.15 |   |   |   |   |   |
9.30 - 10.15 | Aula 14 |   | Aula Disegno2 | Aula B14 |   |
10.30 - 11.15 | Aula 14 |   | Aula Disegno2 | Aula B14 |   |
11.30 - 12.15 |   |   |   |   |   |
12.30 - 13.15 |   |   |   |   |   |
14.00 - 14.45 |   |   |   |   |   |
15.00 - 15.45 |   |   |   |   |   |
16.00 - 16.45 |   |   |   |   |   |
17.00 - 17.45 |   |   |   |   |   |
18.00 - 18.45 |   |   |   |   |   |
Statistiche
Questa sezione riassume le statistiche relative alle votazioni di profitto ottenute dagli studenti dall'anno accademico 2010-11 ad oggi. I dati sono aggiornati frequentemente, ma non in tempo reale. Essi si riferiscono comunque soltanto agli esami sostenuti da studenti iscritti al Corso di Laurea o Laurea Magistrale in Ingegneria Elettronica.Nel calcolo sono inclusi gli esami dello stesso corso con diverso codice.
Il 30 e lode è considerato come 31 nel calcolo della media e dello scarto quadratico medio.
Statistica | Valore |
---|---|
Numero esami | 308 |
Voto minimo | 18 |
Voto massimo | 30 |
Media dei voti | 26,83 |
Scarto dei voti | 2,83 |
Anno accademico | Esami | Media |
---|---|---|
2023-24 | 13 | 26,92 |
2022-23 | 20 | 25,25 |
2021-22 | 14 | 26,07 |
2020-21 | 28 | 28,39 |
2019-20 | 22 | 26,81 |
2018-19 | 24 | 25,16 |
2017-18 | 22 | 26,68 |
2016-17 | 31 | 26,64 |
2015-16 | 30 | 26,66 |
2014-15 | 29 | 27,17 |
2013-14 | 26 | 27,57 |
2012-13 | 12 | 27,00 |
2011-12 | 20 | 27,35 |
2010-11 | 17 | 27,41 |