Corso di
NANOELETTRONICA
Scheda
Codice | 8039176 |
Denominazione inglese | NANOELECTRONICS |
Lingua | Italiano |
CFU | 6 |
SSD | ING-INF/01 |
Docente
Prof. Aldo Di CarloProgramma
Introduzione.
Nanoelettronica. Nanotecnologie.
Approccio Top-Down. Richiami di MOS e MOSFET. Parametri fondamentali. Inversione. Tensione di soglia. Scaling MOSFET. Scaling ideale. Effetti di canale corto. Modelli elettrostatici MOSFET 2D e
parametri di scala (Modello di Taur). Perdita di controllo di gate. DIBL e Vt roll-off. Regole di progettazione. Delay delle interconnessioni. Leakege e ossidi high-K. Tecnologie alternative. SOI-MOSFET. DG-MOSFET. FinFET. Trasporto Quantistico (Balistico). Densità di corrente da eq. Schrödinger. Trasporto balistico in un nanofilo e nei conduttori balistici. MOSFET balistico.
Approccio Bottom-up. Autoagregazione. Nanostrutture e dispositivi basati su di esse. Dispositivi molecolari.
Sistemi di misura per la nanoelettronica.
Progetti di simulazione dispositivi nanoelettronici.
Lezioni
Le lezioni degli insegnamenti sono disponibili al link del portale EasyUTV qualche giorno prima dell'inizio dei corsi.Statistiche
Questa sezione riassume le statistiche relative alle votazioni di profitto ottenute dagli studenti dall'anno accademico 2010-11 ad oggi. I dati sono aggiornati frequentemente, ma non in tempo reale. Essi si riferiscono comunque soltanto agli esami sostenuti da studenti iscritti al Corso di Laurea o Laurea Magistrale in Ingegneria Elettronica.Nel calcolo sono inclusi gli esami dello stesso corso con diverso codice.
Il 30 e lode è considerato come 31 nel calcolo della media e dello scarto quadratico medio.
Statistica | Valore |
---|---|
Numero esami | 32 |
Voto minimo | 25 |
Voto massimo | 30 e lode |
Media dei voti | 29,53 |
Scarto dei voti | 1,64 |
Anno accademico | Esami | Media |
---|---|---|
2023-24 | 1 | 31,00 |
2020-21 | 2 | 29,50 |
2019-20 | 4 | 28,75 |
2018-19 | 3 | 30,00 |
2017-18 | 7 | 29,85 |
2016-17 | 5 | 27,80 |
2015-16 | 6 | 30,33 |
2014-15 | 4 | 30,00 |